এএম, নানজিং ইউনিভার্সিটি: একটি নমনীয় উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার জেনারেশন ডিভাইস যা অ্যাসিমেট্রিক ফটোভোলটাইক ক্যাসকেডের উপর ভিত্তি করে

আলো এবং বিদ্যুতের মধ্যে আন্তঃরূপান্তর হল অপটোইলেক্ট্রনিক এবং ফোটোনিক অ্যাপ্লিকেশনের কেন্দ্রবিন্দুতে। আলোক বৈদ্যুতিক রূপান্তরের সর্বাধিকীকরণ একটি দীর্ঘমেয়াদী লক্ষ্য এবং নির্দিষ্ট কাঠামোর সাথে ডিভাইস তৈরি করে অর্জন করা যেতে পারে। এই কাঠামোতে, একটি নির্দিষ্ট অঞ্চলে অপটিক্যাল বিকিরণ সংগ্রহ করা এবং একটি বিশুদ্ধ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের প্রতিক্রিয়া চালানোর জন্য একটি উচ্চ বৈদ্যুতিক সম্ভাবনা সহ একটি কার্যকরী ডাইলেকট্রিকে রূপান্তর করা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

লেই ঝাং এট আল। নানজিং ইউনিভার্সিটিতে ডবল সেলফ-অ্যালাইনমেন্ট সমন্বিত একটি ন্যানোফ্যাব্রিকেশন কৌশল ডিজাইন করেছে এবং জেব্রা-সদৃশ অ্যাসিমেট্রিক হেটারোজাংশন অ্যারে নির্মাণে এটি প্রয়োগ করেছে।

লেখকরা স্বর্ণ এবং অ্যালুমিনিয়াম স্ট্রিপগুলির সমন্বয়ে একটি অভিনব অপ্রতিসম, পর্যায়ক্রমিক এবং ভিত্তিক ন্যানোকম্পোজিট প্রস্তুত করেছেন। এই বাইমেটালিক ন্যানোস্ট্রাকচারটি সারিবদ্ধতার দিকে নিয়ন্ত্রিত পদ্ধতিতে পিএন হেটারোজেকশনের সংগঠনের অনুমতি দেয়। ছোট আয়তক্ষেত্রাকার স্ট্রিপগুলির আলোকিত 5 x 4 mm2 অ্যারে নমনীয় সাবস্ট্রেটগুলিতে 100 V এর বেশি উচ্চ ভোল্টেজ তৈরি করতে পারে। প্রতি ইউনিট দৈর্ঘ্য 350 V-cm-1 পর্যন্ত সম্ভাব্য উৎপন্ন হয়। লেখকরা প্রথমবারের মতো দেখান যে এই ধরনের উচ্চ ভোল্টেজ একটি স্ব-চালিত কমপ্যাক্ট সিস্টেম-অন-এ-চিপ দ্বারা তৈরি করা যেতে পারে।

লেখকের অনুসন্ধানগুলি আলো এবং বিদ্যুতের মধ্যে রূপান্তরকে সহজতর করে, যেখানে স্ব-চালিত স্মার্ট যন্ত্রগুলিতে পাইজোইলেকট্রিক এবং ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল উপকরণগুলির কর্মক্ষমতা যথেষ্ট বড় ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ক্ষেত্র সরবরাহ করে নিয়ন্ত্রিত করা যেতে পারে।